高長寬比矩形電容
市場需求一款能夠與GaN芯片尺寸相匹配的單層陶瓷電容
在將GaN芯片與單層陶瓷電容打線接合時，由于GaN芯片的輸出功率非常強大，為了能匹配與之相應的需求，一般會用多根引線進行調整。而由于市場上主流的GaN芯片都以矩形為主，所以電容的長度必須要與GaN芯片所吻合。但是單層陶瓷電容的制作對長寬比有限制要求，所以需生產一款能夠與之尺寸匹配的電容并非易事
（↑目前為止的匹配方法。必須使用復數的電容與之匹配）
「高長寬比矩形電容」減少配件數量
Tecdia成功研制出了能夠與GaN芯片尺寸完美匹配的矩形單層陶瓷電容。一般來說電容的長寬極限比為1:3，而突破這層極限調整比例為 1:6的話不但可以免去使用多個電容排列，同時還能夠減少部件的封裝數量，降本增效。
能夠滿足顧客需求的設計能力與打破常規設計的產品制造技術
由于單層陶瓷電容的高長寬比的設計，會給制造上帶來諸多不便。例如在切割過程中容易碎裂，金膜容易脫落等等。而Tecdia獨有的加工技術能夠有效控制切割過程中的易碎問題，并在設計時采用表面留邊，使金膜能夠從表層滲透進入內側從而杜絕脫落的問題。同時聆聽顧客關于熱膨脹可能引起產品彎曲破裂等反饋，將底面改變成無鍍金設計。
省去了縱向同時封裝多個電容的繁瑣，為顧客實行降本增效做出貢獻
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